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就是指内存…数字指内存是第几代的…数字越大越新
其他答案1:
https://www.szdluv.com />这里是百度百科的详细解释,在这里我就不班门弄斧了……
其他答案2:
ddr
[编辑本段]释意一:内存
DDR=Double Data Rate双倍速内存
严格的说DDR应该叫DDR SDRAM,人们习惯称为DDR,部分初学者也常看到DDR SDRAM,就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写,是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的,仍然沿用SDRAM生产体系,因此对于内存厂商而言,只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进,即可实现DDR内存的生产,可有效的降低成本。
SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据,它是在时钟的上升期进行数据传输;而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据,它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据,因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。
与SDRAM相比:DDR运用了更先进的同步电路,使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行,又保持与CPU完全同步;DDR使用了DLL(Delay Locked Loop,延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术,当数据有效时,存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据,每16次输出一次,并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度,它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据,因而其速度是标准SDRA的两倍。
从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大,他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚,比SDRAM多出了16个针脚,主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准,而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。
DDR内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示,工作频率是内存颗粒实际的工作频率,但是由于DDR内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据,因此传输数据的等效频率是工作频率的两倍。
什么是 DDR1?
有时候大家将老的存储技术 DDR 称为 DDR1 ,使之与 DDR2 加以区分。尽管一般是使用 “DDR” ,但 DDR1 与 DDR 的含义相同。
什么是 DDR2?
DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。它在 DDR 内存技术的基础上加以改进,从而其传输速度更快(可达 667MHZ ),耗电量更低,散热性能更优良 .
DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是,虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即:4bit数据读预取)。换句话说,DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
DDR3与DDR2几个主要的不同之处 :
1.突发长度(Burst Length,BL)
由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(Burst Length,BL)也固定为8,而对于DDR2和早期的DDR架构系统,BL=4也是常用的,DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop(突发突变)模式,即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输,届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是,任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止,且不予支持,取而代之的是更灵活的突发传输控制(如4bit顺序突发)。
2.寻址时序(Timing)
就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样,DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2~5之间,而DDR3则在5~11之间,且附加延迟(AL)的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0~4,而DDR3时AL有三种选项,分别是0、CL-1和CL-2。另外,DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟(CWD),这一参数将根据具体的工作频率而定。
DDR2内存的频率
其中 DDR2 的频率对照表如右图所示。
3.DDR3新增的重置(Reset)功能
重置是DDR3新增的一项重要功能,并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界很早以前就要求增加这一功能,如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时,DDR3内存将停止所有操作,并切换至最少量活动状态,以节约电力。
在Reset期间,DDR3内存将关闭内在的大部分功能,所有数据接收与发送器都将关闭,所有内部的程序装置将复位,DLL(延迟锁相环路)与时钟电路将停止工作,而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来,将使DDR3达到最节省电力的目的。
4.DDR3新增ZQ校准功能
ZQ也是一个新增的脚,在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集,通过片上校准引擎(On-Die Calibration Engine,ODCE)来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后,将用相应的时钟周期(在加电与初始化之后用512个时钟周期,在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期)对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。
参考电压分成两个
在DDR3系统中,对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号,即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ,这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。
点对点连接(Point-to-Point,P2P)
这是为了提高系统性能而进行的重要改动,也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中,一个内存控制器只与一个内存通道打交道,而且这个内存通道只能有一个插槽,因此,内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点(P2P)的关系(单物理Bank的模组),或者是点对双点(Point-to-two-Point,P22P)的关系(双物理Bank的模组),从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面,与DDR2的类别相类似,也有标准DIMM(台式PC)、SO-DIMM/Micro-DIMM(笔记本电脑)、FB-DIMM2(服务器)之分,其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2(高级内存缓冲器)。
面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势,此外,由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能,在功耗方面DDR3也要出色得多,因此,它可能首先受到移动设备的欢迎,就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器一样。在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域,DDR3未来也是一片光明。目前Intel预计在明年第二季所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake),其将支持DDR3规格,而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格。
5.DDR4
据介绍美国JEDEC将会在不久之后启动DDR4内存峰会,而这也标志着DDR4标准制定工作的展开。一般认为这样的会议召开之后新产品将会在3年左右的时间内上市,而这也意味着我们将可能在2011年的时候使用上DDR4内存,最快也有可能会提前到2010年。
JEDEC表示在7月份于美国召开的存储器大会MEMCON07SanJose上时就考虑过DDR4内存要尽可能得继承DDR3内存的规格。使用Single-endedSignaling( 传统SE信号)信号方式则表示64-bit存储模块技术将会得到继承。不过据说在召开此次的DDR4峰会时,DDR4 内存不仅仅只有Single-endedSignaling方式,大会同时也推出了基于微分信号存储器标准的DDR4内存。
DDR4规格
因此DDR4内存将会拥有两种规格。其中使用Single-endedSignaling信号的DDR4内存其传输速率已经被确认为1.6~3.2Gbps,而基于差分信号技术的DDR4内存其传输速率则将可以达到6.4Gbps。由于通过一个DRAM实现两种接口基本上是不可能的,因此DDR4内存将会同时存在基于传统SE信号和微分信号的两种规格产品。
根据多位半导体业界相关人员的介绍,DDR4内存将会是Single-endedSignaling( 传统SE信号)方式DifferentialSignaling( 差分信号技术 )方式并存。其中AMD公司的PhilHester先生也对此表示了确认。预计这两个标准将会推出不同的芯片产品,因此在DDR4内存时代我们将会看到两个互不兼容的内存产品。
6.DDR5
新的绘图记忆体的承诺,较低的能量消耗量和数据传输在6 Gbps的每秒
我们只看到极少数的绘图卡使用gddr4记忆直至目前为止,但三星已就此案与下一代的gddr5记忆体,并声称它的样本已经发出了向主要的图形处理器公司。
当然,三星并不是第一家公司开始采样gddr5的记忆。双方Hynix和奇梦达还宣布了类似的零件在十一月,但三星的记忆已经进了一步提供了数据传输速率6gb/sec ,超过标准5gb/sec 。因此,三星,大胆声称它的产品'世界上速度最快的记忆体, '和说,它的'能够传输移动影像及相关数据,在24千兆字节每秒。
以及增加带宽, gddr5记忆体也比较低功耗的要求,三星公司声称其记忆体运作,只是1.5 。
三星是目前采样512MB的gddr5芯片( 16 MB × 32 ) ,和mueez迪恩,三星的市场营销主管绘图记忆体,他说,该记忆体'将使种图形硬体的表现将推动软件开发商提供了一个新台阶眼膨化游戏。不过,我们可能要等待一段时间之前, gddr5成为普遍。三星公司估计,该记忆体将成为'事实上的标准,在顶端表演细分市场'在2010年,当公司说,它将帐户为' 50 %以上的高年底PC图形市场。
LOGO释意二:跳舞机
DDR是单词Dance Dance Revolution的缩写,中文意为热舞革命。日本柯纳米公司首创的跳舞机,国内很多大型的电玩店中都能看到它 的影子。游戏要求配合电子舞曲跳出完美的舞步,所用音乐大都是耳熟能详的热门歌曲。
DDR满足了年轻人强烈的表现欲,而跳舞本来一直是年轻人热衷的休闲活动,将这两大因素结合在一起的结果……就是一发不可收拾。DDR大有将游戏机中心变为迪斯科之势,一改往日以手为主的传统玩法,整个过程都是用脚来完成,力求在游戏机这个狭小的空间里,体会到和在迪斯科里跳舞一样的感觉。
●跳舞机于1998年暑假在日本推出,当时台湾游戏资讯界名人胡龙云刚好受该游戏的制作公司KONAMI(柯纳米)邀请赴日。胡觉得这个游戏深具潜力,同时认识到如果该游戏真的引发风潮,势必带动社会重新思考大型电子游戏机的真正意义。基于此,胡一回到台湾即积极与相关业者联络引进这种大型电子游戏机———跳舞机。经过一年多的努力,跳舞机在台湾大行其道。
●看到台湾在跳舞机大行其道之下所引发的良性的效应,为了持续加温这股游戏风潮以及改变部分有关单位对大型电玩的先入为主的不良印象,日本KONAMI公司随后举行了一次盛大的DDR劲爆热舞花式大赛。
●1999年4月,DDR从大型机台移植为家用PS(PlayStation,索尼公司出品的游戏机)版本并开始发行后,不只是一般青少年深深着迷,许多成人甚至演艺界名人也陆续成为DDR的超级玩家,比如张学友、陈小春、吴君如等。
●在日本,基于音乐游戏的风行,游戏研发厂商也立刻跟风推出数款类似的游戏机台,一度引发日本游戏业界的互控抄袭案件。
●跳舞机的好处之一是女孩子也纷纷加入进来,不少舞林高手是女孩子—— ——跳舞机,不就是动脑子的DISCO吗?但是,那些比较害羞的玩家,平时对着异性说句话就会脸红,怎么好意思在大庭广众下扭来扭去?好在索尼公司将其移植到PS上,同时推出了配套的舞毯,把游戏场所转移到家中,想怎么玩就怎么玩。并且跳舞毯多了一项"自设步法”的功能,买回去连上电视屏幕,即能在家里大显身手。不过,听说现在许多家庭妇女也想拥有一张如此新忸的玩意,并非赶潮流,而是作减肥之用。跳舞毯面市之后,价位呈直线下降趋势。
当年我对跳舞机可以说是玩到疯狂的地步 经常逃课去玩
跳舞机的玩法十分简单。游戏开始时,听着音乐,看屏幕画面的右下方,会不断出现上、下、左、右的箭头,只要箭头移到顶部指定位置,玩家用脚踩对应踏板即可。例如箭头向左,则踩左方踏板,如此类推地跟着跳,如果踩到踏板和箭头提示的不一样,你的能量计(屏幕左上方的红格部分)就会减少,当能量完全消失就代表你已经"完蛋了”,并且会听到一些十分难听的音效。如果你正确地输入了指令,便能够得到Perfect”或"Great”的等级,如果这两个等级连续出现,画面上将出现"Combo”的字样,你的分数也会倍增;不过,当"Good”、"Boo”或"Miss”出现的话,你的Combo分值就得重新计算。这游戏的感觉就像真的跳舞那样,当你随着节拍跳动的时候,就知道为什么那么多人如此迷恋这个游戏了!
跳舞机有单人玩的,也有双人玩的,难度可分八级,以适合不同程度的玩家。最简单的如随音乐"Have You Ever Been Mellow ”,只需"前、后、前、后、前、左”六个动作便完成。当然,如果你连八级都不在话下了,那么你不妨试一下舞林高手自创的一些花式,比如说玩倒立,整个人头下脚上,只用手按踏板;或者玩跪地,像跳霹雳舞一样,改用膝头撞地;再不就玩转身,一个人玩"双打”,通常玩的四个踏板变成了八个,让你手脚并用,忙得团团转。DDR基本步
关东步(此步法起源于日本关东):方法是重心脚或比较不灵活的那只脚总是停留在某个箭头上,只使用比较灵活的那只脚踩踏板。
优点:命中率奇高,容易得到Combo,而且体力消耗也比较少。
缺点:"惯用脚”的疲劳度上升较快,舞姿相对起来也不太优美。
关西步(同理,此步法起源于日本关西):方法是在单向输出的时候总有一只脚停留在中心位置,利用小跳跃来增强跳舞时的节奏感。
优点:在音乐节拍慢的时候也能保持较强的节奏感和较高的命中率,舞姿看起来也相当有青春的气息。
缺点:连续的小跳跃要消耗很多的体力,而在箭头连续出现的时候容易出现失误。
自由步:舞步没有一定的规律,完全按照自己的意愿来进行。
优点:接近真正意义上的"跳舞”,舞姿亦比较华丽;加上是非限制性的步法,重心脚经常变换,所以跳起来的时候是不会太累的。
缺点:除了命中率不高外,下脚的位置选择不好的话动作可能会比较散乱,其后果轻则引来在场观众的倒彩,严重者请小心迎面飞来的投掷物。
十字游走:基本上是"关东”的改进型,方法是踩完箭头的脚停在刚才的箭头上,用另外一只脚踩下一个箭头,如此循环下去(关键是换脚的时候位置要选择好)。
优点:很酷的步法,在一些大型游戏中心里的玩家大都使用这种步法;因为这个方法跳起来很有真正"表演”的感觉,而且由于跳跃的动作极少,给人以潇洒感觉,同时又能够节省体力(如果熟练了之后,命中率也不差)。
缺点:还是那句:"换脚的时候位置要选择好”,不然的话动作会比较难看。
[编辑本段]释意三:拨号路由选择
dial-on-demand routing(DDR)
dial-on demand routing (ddr)是用公共电话网提供了网络连接。通常的,广域网大多数使用专线连接的,路由器连接到类似MODEM OR ISDNTAS 的数据终端DCE设备上,他们支持同步V.25BITS协议,你可以用SCRIPTS AND DIALER命令设定拨号串。
DDR比较适用于用户对数率要求不高,偶尔有数据传输或只是在特定时候传输数据,比如银行每晚传送报表等等情况下。
当一个感兴趣的包到达路由器时,产生一个DDR请求,路由器发送呼叫建立信息给指定的串口的DCE设备,这个呼叫就把本地的和远程的设备连接起来,一旦没有数据传输,空闲时间开始记时,超过设置的记时时间,连接终止。DDR现在都用静态路由来传输数据,避免路由交换引起的DDR拨号。
和XNS可以通过DDR路由寻址,同步串口,异步串口和ISDN端口可以配置成到一个或多个目的地的DDR连接。
下面是一个典型的DDR连接:
在配置DDR过程中,我们可以把一个或几个物理端口配置成一个逻辑拨号接口,他可以是同步V.25方式,同步DYR启动拨号或异步CHATSCRIPT方式
在端口配置模式下:
在一个端口激活DIAL-ON-DEMAND ROUTING
命令:dialer in-band
指定一个端口为拨号访问组:dialer-group group-number
指定一个单一电话号码:dialer string dialer-string
断线前空前等待时间:dialer idle-time seconds
定义一个或多个目的电话号码表:
dialer map protocol net-hop-addre
[编辑本段]释意四:德意志民主共和国的缩写
Deutsche Demokratische Republic,DDR
(前)德意志民主共和国(1949年-1990年)(德文:Deutsche Demokratische Republic,DDR),简称(前)东德或(前)民主德国,是1949年到1990年之间,存在于今日德国东部的社会主义国家,1990年并入德意志联邦共和国(西德)。
最佳回答:
DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写,是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的,仍然沿用SDRAM生产体系,因此对于内存厂商而言,只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进,即可实现DDR内存的生产,可有效的降低成本。
简单的说DDR是SDRAM的加强版,性能至少强一倍以上!
DDR3比DDR2的内存性能又至少强一倍以上,且接口也不一样,功耗,性能,超频能力都是DDR3内存强大
SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据,它是在时钟的上升期进行数据传输;而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次数据,它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据,因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。
其他答案1:
ddr是从sdram上发展过来的。
性能的区别:DDR运用了更先进的同步电路,使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行,又保持与CPU完全同步;DDR使用了DLL(Delay Locked Loop,延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术,当数据有效时,存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据,每16次输出一次,并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度,它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据,因而其速度是标准SDRAM的两倍。
DDR2你可以把它比拟成双车道,DDR3可以比拟成三车道
其他答案2:
DDR3的特点是容量高 前段总频率一般为1333和1666
其他答案3:
直接在问问向我提问……
最佳回答:
三种规格的内存,卡槽长度是一样的,但中间的凸点位置不一样,电压也不一样,针脚也不一样,要是这样看的话,一边卡槽边上都有标记几代内存,DDR DDRⅡ DDRⅢ的字样,或者看卡槽中间一般都表有电压,2.5V的是DDR内存槽,1.8V的是DDR2内存槽,1.5V的是DDR3内存槽,如果就凭中间的凸点位置的话用肉眼不好判断,数针脚的话也不太现实,180-190针脚数起来很费劲
其他答案1:
卡槽可能类似 但是不能通用
其他答案2:
网上找的,看看。
最佳回答:
DDR2 现在是主流…DDR现在贵…DDR3刚出的?
麻烦采纳,谢谢!
其他答案1:
184针(DDR即DDR1)跟240针(DDR2).即使插混了,也很容易看出来. 有耐心的话数一下^-^ 其实一看就看的出来了,上面标签也可以参考一下. 有几个主要区别: 1,DDRI的工作电压为2.5V,DDRII的工作电压为1.8v。 2,DDRI的PIN脚为180pin,DDRII的pin脚为220pin 3,DDRI的主频为266/333/400,DDRII的主频为400/533/667MHz. DDR1的频率最高到400,DDR2的最高到800,DDR3的则更高了。三者不同类型的不可以混插,同代产品向下兼容,DDR1的333 和DDR1的400 可以混插,不同代的DDR不能混用。 软件的话用EVEREST比较准而且全面,能看整个电脑所有的硬件而且可以简单测试CPU和内存的性能,CPU-Z体积比较小巧但只能测CPU和内存及主板。 补充:最直观的就是看内存上有一个数据,PC3200 PC4200 PC5300之类的,3200是DDR1 400的,4200是DDR2 533的,5300是DDR2 667的。 DDR2与DDR的区别 与DDR相比,DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下,可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比,在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲,DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心,但是它可以并行存取,在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。 DDR2与DDR的区别示意图 与双倍速运行的数据缓冲相结合,DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据,比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍。DDR2内存另一个改进之处在于,它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。 然而,尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样,但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存,因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。首先是接口不一样,DDR2的针脚数量为240针,而DDR内存为184针;其次,DDR2内存的VDIMM电压为1.8V,也和DDR内存的2.5V不同。 DDR2的定义: DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是,虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即:4bit数据读预取)。换句话说,DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。 此外,由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式,而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式,FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程,从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术,第一代DDR的发展也走到了技术的极限,已经很难通过常规办法提高内存的工作速度;随着Intel最新处理器技术的发展,前端总线对内存带宽的要求是越来越高,拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。 DDR2与DDR的区别: 在了解DDR2内存诸多新技术前,先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。 1、延迟问题: 从上表可以看出,在同等核心频率下,DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说,虽然DDR2和DDR一样,都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说,在同样100MHz的工作频率下,DDR的实际频率为200MHz,而DDR2则可以达到400MHz。 这样也就出现了另一个问题:在同等工作频率的DDR和DDR2内存中,后者的内存延时要慢于前者。举例来说,DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟,而后者具有高一倍的带宽。实际上,DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽,它们都是3.2GB/s,但是DDR400的核心工作频率是200MHz,而DDR2-400的核心工作频率是100MHz,也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。 2、封装和发热量: DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力,而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下,DDR2可以获得更快的频率提升,突破标准DDR的400MHZ限制。 DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式,这种封装形式可以很好的工作在200MHz上,当频率更高时,它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容,这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式,FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。 DDR2内存采用1.8V电压,相对于DDR标准的2.5V,降低了不少,从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量,这一点的变化是意义重大的。 DDR2采用的新技术: 除了以上所说的区别外,DDR2还引入了三项新的技术,它们是OCD、ODT和Post CAS。 OCD(Off-Chip Driver):也就是所谓的离线驱动调整,DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性;通过控制电压来提高信号品质。 ODT:ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上,不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的,终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率,终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低;终结电阻高,则数据线的信噪比高,但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组,还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻,这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本,还得到了最佳的信号品质,这是DDR不能比拟的。 Post CAS:它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中,CAS信号(读写/命令)能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期,CAS命令可以在附加延迟(Additive Latency)后面保持有效。原来的tRCD(RAS到CAS和延迟)被AL(Additive Latency)所取代,AL可以在0,1,2,3,4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期,因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。 总的来说,DDR2采用了诸多的新技术,改善了DDR的诸多不足,虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足,但相信随着技术的不断提高和完善,这些问题终将得到解决
最佳回答:
速度在不断飙升!AMD的AM2接口 K8架构处理器引入最高DDR2 800的支持,而Intel也会在7月23日发布万众期待的Conroe处理器并进行史上规模最大的“恐怖袭击”;桌面PC市场有望在2006年全面进入DDR2 800极速时代。
RD600支持1500Mhz的前端总线超频,可惜在Computex 2006台北电脑展上面,RD600似乎“临时放弃”了DDR3内存的支持,转为支持DDR2 1066的支持,DDR3内存未能在2006年Q2进入市场。
DDR3相比起DDR2有更高的工作电压, 从DDR2的1.8V降落到1.5V,性能更好更为省电;DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度,由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度,因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。在Computex大展我们看到多个内存厂商展出1333Mhz的DDR3模组。
一、DDR3在DDR2基础上采用的新型设计:
DDR3
1.8bit预取设计,而DDR2为4bit预取,这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8,DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。
2.采用点对点的拓朴架构,以减轻地址/命令与控制总线的负担。
3.采用100nm以下的生产工艺,将工作电压从1.8V降至1.5V,增加异步重置(Reset)与ZQ校准功能。
二、DDR3与DDR2几个主要的不同之处 :
1.突发长度(Burst Length,BL)
由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(Burst Length,BL)也固定为8,而对于DDR2和早期的DDR架构系统,BL=4也是常用的,DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop(突发突变)模式,即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输,届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是,任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止,且不予支持,取而代之的是更灵活的突发传输控制(如4bit顺序突发)。
2.寻址时序(Timing)
就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样,DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2~5之间,而DDR3则在5~11之间,且附加延迟(AL)的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0~4,而DDR3时AL有三种选项,分别是0、CL-1和CL-2。另外,DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟(CWD),这一参数将根据具体的工作频率而定。
3.DDR3新增的重置(Reset)功能
重置是DDR3新增的一项重要功能,并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界很早以前就要求增加这一功能,如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时,DDR3内存将停止所有操作,并切换至最少量活动状态,以节约电力。
在Reset期间,DDR3内存将关闭内在的大部分功能,所有数据接收与发送器都将关闭,所有内部的程序装置将复位,DLL(延迟锁相环路)与时钟电路将停止工作,而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来,将使DDR3达到最节省电力的目的。
4.DDR3新增ZQ校准功能
ZQ也是一个新增的脚,在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集,通过片上校准引擎(On-Die Calibration Engine,ODCE)来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后,将用相应的时钟周期(在加电与初始化之后用512个时钟周期,在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期)对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。
5.参考电压分成两个
在DDR3系统中,对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号,即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ,这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。
6.点对点连接(Point-to-Point,P2P)
这是为了提高系统性能而进行的重要改动,也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中,一个内存控制器只与一个内存通道打交道,而且这个内存通道只能有一个插槽,因此,内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点(P2P)的关系(单物理Bank的模组),或者是点对双点(Point-to-two-Point,P22P)的关系(双物理Bank的模组),从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面,与DDR2的类别相类似,也有标准DIMM(台式PC)、SO-DIMM/Micro-DIMM(笔记本电脑)、FB-DIMM2(服务器)之分,其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2(高级内存缓冲器)。
面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势,此外,由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能,在功耗方面DDR3也要出色得多,因此,它可能首先受到移动设备的欢迎,就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器一样。在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域,DDR3未来也是一片光明。目前Intel预计在明年第二季所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake),其将支持DDR3规格,而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格。这资料太多,慢慢看吧
其他答案1:
简单的说,DDR3比DDR2好,目前所有新出的电脑是DDR3的。DDR2已经淘汰…..
其他答案2:
是第2代和第3代的意思,就像苹果4,苹果5
其他答案3:
通道,ddr3明显比ddr2好,如果2个同样内存,还可以交火,效果较好。
最佳回答:
ddr是2.5v ddr2是1.8v ddr3是1.5v左右。
各代内存工作电压不同主要是因为制程工艺的升级,不同工艺的芯片需要的电压也不同,制成越先进,需要的电压越低。列如ddr3内存芯片制成一般是40nm,而ddr2大多是60nm左右。ddr3比ddr2需要的电压少大约0.3v。因为相同数量的晶体管,制成小的,线路载体小,发热小,电流损耗小,所需电压小。所以内存芯片电压不同。cpu和显卡等同理。
(原创非复制= =)
其他答案1:
得购买
由于受到国际DRAM价格走势上涨的影响,DDR400MHz 16Mb上调0.02美元,今天的报价为2.58美元;DDR333MHz 16Mb也攀高0.03美元,今天的报价为2.62美元。加上步入暑期消费旺季,内存市场在上星期开始全面爆涨,主流的512M已突破400大元,上涨幅度最高达到30多元。其中比较受消费者欢迎的kingston 512M DDR400不知不觉的升到410元左右了。尽管近日内存不断上涨,估计近期内存价格下降的可能性不大,始终“该出手时就要出手”,有购买欲的朋友情快些出手啦!
2、未来主流DDR2及最新价格
INTEL945、955等主流芯片组已经全面推广DDR2内存,主流的DDR2 533在新能上还未能超越DDR400,甚至某些方面比DDR400更落后。其原因在于DDR2先天的硬伤—内存CAS延迟时间(CAS Latency),DDR2的CAS延迟时间通常设定为3、4、5,和DDR内存的2、2.5、3相比要慢一些。在这样的前提下最优化时序的DDR2 SDRAM内存模组比同样优化的同频率DDR SDRAM内存模组比较会在内存带宽上处于劣势,而这样的情况在目前800FSB的P4 CPU平台上会比较普遍,因此Intel在桌面芯片组上选择了DDR2-533的设定将内存异步于CPU以改善性能。当DDR2被应用在DDR无法达到的高频率并和未来高FSB CPU配合使用时,这种相对的劣势才能得以消除,所以未来正式主流的DDR2内存频率应该是800多者更高。不过往往最初推出的新规格内存,并不代表内存的真实性能,往往改进过后的产品,才能充分发挥产品的性能。现在的DDR2 533好比是当年的DDR 266或者是SD-RAM时代的PC100,未来DDR2 800或者更高规格的广泛推出市场的时候,才能真正取代DDR400。不知道是不是由于受到AMD告INTEL垄断的缘故,加上生产工艺的不断提高,生产成本有所降低,促使DRAM生产商拥有降低DDR2颗粒的售价,6月中旬,市面上的DDR2 533内存条已经比几个月前消费者不能接受的天价降低了许多,价格甚至可以和中高档的DDR内存对砍。这消息无疑是对消费者的一个利好消息,现在INTEL采用支持DDR2内存芯片组的主板已卖得很便宜,拼装采用DDR2内存平台的机器并不比一般普通采用DDR内存的机器要贵,DDR2再也不是极少数硬件发烧友。到截稿为止,现时多数品牌的DDR2 512M内存条通常在500左右的价位,三星金条DDR2 400报500元,A-DARA Vitesta DDRII533红色威龙内存条报价为495,宇瞻的DDR2 报580元。而最超值实惠的是南亚elixir DDR2 533 512M报399,突破了400元的心理消费价格,对于其他品牌有一定的价格竞争优势。而且售后服务还不错,提供一年包换三年保修的服务,而同规格的265M只售199元。
二、消费指南Q/A(问与答)
Q1:多少内存才够用?
A1:内存多大才够用,当然韩信点兵,多多益善。是从现在使用环境来看,256M容量肯定不够用,现在WINDOWS XP后台加载的任务加上常用软件后台(如防火墙)等起码占用130M以上,给用户使用的内存已少得可怜,导致会降低系统性能。512M肯定是最基本的要求,可以满足现在的基本需要。不过笔者觉得如果金钱比较宽裕,可以考虑购买1G容量,毕竟,现在的软件对内存容量的要求越来越高,1G容量并不过分。购买两条512M组成双通道平台,价格大约需要800元,并是奢侈的东西。拥有1G物理内存,建议大家关闭WINDOWS的虚拟内存管理,对于系统性能会有很大的提高,毕竟内存比硬盘的读写速度快多了。
Q2:为什么一般的内存卖得那么便宜,为什么一些高档的内存那些要贵很多,他们有什么区别?是否值得购买?
A2:CPU、显示卡有分低中高档次,内存也一样。高档的内存一般是针对追求高性能或者是超频的用户设计,价格也比一般的内存要贵很多,可能购买512M普通内存的价钱才能买到256M的超频内存。超频玩家会使用比标准外频更高的非标准频率,在这时候内存的频率也会同样提高。正所谓好马需要配好鞍,高档内存采用高档的内存颗粒(如著名的三星TCCD)他们的频率、时序和工作参数比一般的内存要高很多,例如在DDR500这样高的频率下也可以运行在2-2-2-8(不明白是什么意思,请看下一段的注解)这么高的时序。高档内存正好满足了可以需要,为系统提供一个稳定的工作环境。这无疑是超频玩家的福音。对于普通用户来说,一般的内存只要可以提供优良的兼容性、稳定的工作环境已足够,每必要浪费过多的金钱。
其实电脑是一个更新、淘汰非常快的产品,对于购买最好还是到电脑城里去咨询,根据个人的需要来进行配置,并不是夏季买什么机型冬季买的机型,没有那一说,等你买了电脑,我来给你介绍一下夏季电脑的保养与维修小常识:
一般来说,计算机在正常工作时发出的声音很小,除了硬盘读写数据发出的声音外,主要是散热风扇发出的声音,其中尤以开关电源风扇发出的声音最大。有的开关电源长期使用后,在工作时会产生一些噪声,主要是由于电源风扇转动不畅造成的。引起电源风扇转动不畅发出噪声的原因很多,主要集中在以下几个方面:
–风扇电机轴承接套产生轴向偏差,造成风扇风叶被卡住或擦边,发出"突突"的声音。
–风扇电机轴承松动,使得叶片在旋转时发出"嗡嗡"的声音。
–风扇电机轴向窜动,由于垫片的磨损,轴向空隙增大,加电后发出"突突"的声音。
–风扇电机轴承中使用了劣质润滑油,在环境温度较低时容易跟进入风扇轴承的灰尘凝结在一起,增加了电机转动的阻力,使电机发出"嗡嗡"的声音。
如果风扇工作不正常,时间长了就有可能烧毁电机,造成整个开关电源的损坏。针对以上电源风扇发出声音的原因,平时需要进行如下维护保养工作。
电源盒是最容易集结灰尘的地方,如果电源风扇发出的声音较大,一般每隔半年把风扇拆下来,清洗一下积尘和加点润滑油,进行简单维护。由于电源风扇是封在电源盒内,拆卸不太方便,所以一定要注意操作方法。
(1)拆风扇
先断开主机电源,拔下电源背后的输入、输出线插头。然后再拔下与电源连接的所有配件的插头和连线,卸下电源盒的固定螺丝,取出电源盒。观察电源盒外观结构,合理准确地卸下螺丝,取下外罩。取外罩时要把电线同时从缺口处撬出来。卸下固定风扇的四个螺丝,取出风扇,可以暂不焊下两根电源线。
(2)清洗积尘
用纸板隔离好电源电路板与风扇后,可用小毛刷或湿布擦拭积尘,擦拭干净即可。也可以使用皮老虎吹风扇风叶和轴承中的积尘。
(3)加润滑油
撕开不干胶标签,用尖嘴钳挑出橡胶密封片。找到电机轴承,一边加润滑油,一边用手拨动风扇时,使润滑油沿着轴承均匀流入,一般加几滴即可。要注意滚珠轴承的风扇是否有两个轴承,别忽略了给进风面的轴承上油,上油不要只上在主轴上。
润滑油一定要使用计算机专用润滑油或高级轻质缝纫机油,千万不可用一般汽车上使用的润滑油。最后装上橡胶密封片,贴上标签。
(4)加垫片
如果风扇发出的是较大的"突突"噪声,一般光清洗积尘和加润滑油是不能解决问题的,这时拆开风扇后会发现扇叶在轴向滑动距离较大。取出橡胶密封片后,用尖嘴钳分开轴上的卡环,下面是垫片,此时可取出风扇转子(与扇叶连成一行),以原垫片为标准,用厚度适中的薄塑料片制成一个垫片。把制作好的垫片放入原有的垫片之间,注意垫片不要太厚,轴向要保持一定的距离。用手拨动叶片,风扇转动顺畅就可以了。最后装上卡环、橡胶密封片,贴上标签。记住主轴上的垫片、橡胶密封片、弹簧等小零件,以免散落后不知如何复位。
总之,电源是计算机工作的动力,如果电源风扇出了故障,引发的后果是严重的,因此要定期地对电源进行维护和保养。
另据数据表明,由电源造成的故障约占计算机整机各类部件总故障数的20%~30%。而对主机各个部分的故障检测和维修,也必须建立在电源供应正常的基础上。下面我们对电源的常见故障做一些讨论。
微机电源一般容易出的故障有以下几种:保险丝熔断、电源无输中或输出电压不稳定、电源有输出但开机无显示、电源负载能力差。下面分别介绍其检修方法:
1.保险丝熔断故障分析与排除
出现此类故障时,先打开电源外壳,检查电源上的保险丝是否熔断,据此可以初步确定逆变电路是否发生了故障。若是,则不外如下三种情况造成:输入回路中某个桥式整流二极管被击穿;高压滤波电解电容C5、C6被击穿·逆变功率开关管Ql、Q2损坏。
其主要原因是因为直流滤波及变换振荡电路长时间工作在高压(十300V)、大电流状态,特别是由于交流电压变化较大、输出负载较重时,易出现保险丝熔断的故障。直流滤波电路由四只整流二极管、两只100kΩ左右限流电阻和两只330uF左右的电解电容组成;变换振荡电路则主要由装在同一散热片上的两只型号相同的大功率开关管组成。
交流保险丝熔断后,关机拔掉电源插头,首先仔细观察电路板上各高压元件的外表是否有被击穿烧糊或电解液溢出的痕迹。若无异常,用万用表测量输入端的值:若小于2OOkΩ,说明后端有局部短路现象,再分别测量两个大功率开关管e、c极间的阻值;若小于100kΩ,则说明开关管已损坏,测量四只整流二极管正、反向电阻和两个限流电阻的阻值,用万用表测量其充放电情况以判定是否正常。另外在更换开关管时,如果无法找到同型号产品而选择代用品时,应注意集电极-发射极反向击穿电压Vceo、集电极最大允许耗散功率Pcm、集电极-基极反向击穿电压Vcbo的参数应大于或等于原晶体管的参数。再一个要注意的是:切不可在查出某元件损坏时,更换后便直接开机,这样很可能由于其它高压元件仍有故障,又将更换的元件损坏。一定要对上述电路的所有高压元件进行全面检查测量后,才能彻底排除保险丝熔断故障。
2.无直流电压输出或电压输出不稳定
若保险丝完好,在有负载情况下,各级直流电压无输出,其可能原因有:电源中出现开路、短路现象;过压、过流保护电路出现故障;振荡电路没有工作;电源负载过重;高频整流滤电路中整流二极管被击穿;滤波电容漏电等。
处理方法为;用万用表测量系统板十5V电源的对地电阻,若大于0.8Ω,则说明系统板无短路现象。将微机配置改为最小化,即机器中只留主板、电源、蜂鸣器,测量各输出端的直流电压,若仍无输出,说明故障出在微机电源的控制电路中。控制电路主要由集成开关电源控制器(TL-496、GS3424等)和过压保护电路组成,控制电路工作是否正常直接关系到直流电压有无输出。过压保护电路主要由小功率三极管或可控硅及相关元件组成,可用万用表测量该三极管是否被击穿(若是可控硅则需焊下测量),相关电阻及电容是否损坏。
3.电源有输出,但开机无显示
出现此故障的可能原因是"POWER GOOD"输入的Reset信号延迟时间不够,或"POWER GOOD"无输出。
开机后,用电压表测量"POWER GOOD"的输出端(接主机电源插头的1脚),如果无+5V输出,再检查延时元器件;若有+5V输出,则更换延时电路的延时电容即可。
4.电源负载能力差
电源在只向主板、软驱供电时能正常工作,当接上硬盘、光驱或插上内存条后,屏幕变自而不能正常工作。其可能原因有:晶体管工作点未选择好,高压滤波电容漏电或损坏,稳压二极管发热漏电,整流二极管损坏等。
调换振荡回路中各晶体管,使其增益提高,或调大晶体管的工作点。用万用表检测出有问题的部件后,更换可控硅、稳压二极管、高压滤波电容或整流二极管即可。
其他答案2:
标称电压
ddr 2.4v -2.5
二代 1.8v-1.9
三代 1.4v-1.5
因为内存容量越大,里面的集成的晶体管就越多,必然要 密集度变大,单位晶体管就小了,抗电压能力也就小了,另外从功耗方面也是一样(容量大-晶体管多-功耗大),电压低可以减少功耗,另外技术的提高,可以在低电压保证信号质量,
我认为(坏了别找我) 为了超频或增加稳定性,内存 一般 比标称电压高 0.2是绝对安全的,在高就要看内存颗粒,耐压有的高些有的低些。 一般颗粒大的耐压普遍好些。
其他答案3:
工作电压分别是 2.5V ,1.8V, 1.5V ,为什么会有这种变化,只要是因为技术水平的提高,为了更好的降低功耗!
最佳回答:
因为DDR3内存现在是主流,DDR2是属于停产的产品,没货就贵了,DDR1是停产更旧的产品,更加旧,就更加贵,物以稀为贵
其他答案1:
提高DDR2的价钱 是为了让人们使用DDR3…这样人们装机就会考虑到价钱因素…当内存更新换代的时候..就是疯狂涨价的时候…去年夏天2G DDR2 300 2G DDR3 270..我那时候买了4G DDR3…现在亏的吐血…
最佳回答:
足够的话,只是对个人用途而言,玩游戏当然越大越好,只是打字的话,DDR1就足够,频率也关系质量,但都不同等代的产品,频率或多或少,没有多大差距的问题,都能用,这种就是看着人民币而设定的
最佳回答:
不是的。假如频率一样,不考虑延时的话,理论上DDR2和DDR3性能是完全一样的。如果考虑延时的问题,DDR3会比DDR2要慢。
内存有3个频率:内核频率、I/O物理时钟频率和等效时钟频率。
假设我们现在有两根内存,一根是DDR2-800,另一根是DDR3-800(估且假设是用我的KST PC1333降频下来的吧,呵~),我们来弄清楚它们各种频率和预读取位数之间的关系。
首先,800MHz指的是什么频率?是I/O等效时钟频率,相信这一点大家都无异义。
那么接下来,再来看物理时钟频率。DDR2、DDR3和DDR一样,都是延数据的上行与下行各传输一次数据,那么I/O物理时钟频率应当为800/2=400MHz。
接下来再来看被人最少提及的内核时钟频率。内核频率是显存颗粒真正的工作频率。并且,内核频率=物理频率/预读取位数。在弄清内核时钟频率之前,先了解一下预读取。预读取指一个时钟周期内,内存可以从逻辑BANK中读取多少位的数据。DDR是2位,DDR2是4位,DDR3是8位。换句话说,假如读出相同的数据量,DDR3的内核频率只需要是DDR2的一半。那么,DDR3的内核频率就变成400/8=50MHz,而DDR2则是400/4=100MHz。
OK,这样就应该知道DDR2和DDR3的区别了。
DDR2:内核频率100MHz,预读取位数4位,物理I/O频率是100*4=400MHz,有效频率是400*2=800MHz。
DDR3:内核频率50MHz,预读取位数8位,物理I/O频率是50*8=400MHz,有效频率是400*2=800MHz。
看看,DDR3内核频率这么低,实在是非常浪费的事。试试把它也做到100MHz看吧,于是,DDR3的频率就变成1600MHz。这样一来,DDR3-1600的性能不就是DDR2-800的两倍了么~~
那么对于DDR3-1333又是怎样?内核频率就变成1333/2/8=83MHz,还是比DDR2-800的内核频率要低,芯片即然降了频,那么内存电压也没必要做那么高了,也降一点,发热也降一点好了…
OK,最后讲一点延时,因为延时有很多种,比如像TRCD、TRP、TRAS、CAS等等等等(可能有十来种,一般主板BIOS里可以给你调的通常只有5、6种),就不一一解释了(其实我也记不清)。存内存诸数据,就像是二维表格(你可以认为是EXCEL表)。一根内存可能有一个到多个EXCEL表,我要从中内存中读取数据的话,先要找到存放这个数据的EXCEL表,然后再找到存储这个数据的行和列。那么实际上,内存读写器找到这个表格需要一定的时间,打开表格之后,读写器定位到这个行,需要时间,定位到这个列,也需要时间。像定位到表所需要的时间,就是一种延时,定位到行所需要的时间也是一种延时、定位到列也是种延时。再细分一点情况,可能读写头正好停在相临的一列上,只要稍微挪那么一点就能找到数据,那么又是种延时。读写头停在不同的EXCEL里,要从表A转到表B,又是种延时…当然,这里EXCEL表不叫EXCEL表,而叫做逻辑BANK,EXCEL的单元格叫做CELL,每个CELL能存放的数据量叫做数据深度…
OK,不管那么多复杂的术语了。来看看真实的情况。DDR2相对于DDR,预读取位数增加了,但很遗憾,延时也增加了。不讲为什么了,因为详情可以baidu得到。DDR3相对于DDR2,不好意思,延时又增加了…所以DDR3和DDR2频率一样的话,DDR3就会比DDR2要慢。
其他答案1:
恩不过理论上的东西没意义。实际只能快不到30%.
其他答案2:
不是
理论并不等于事实,至少我家的DDR3 4G 和 DDR2 4G 绝对不是两倍的关系
至少说,快是快了,但不可能是快两倍这么快,硬件市场天天更新,你总不能指望一次2倍这么个快法子吧!
至于说DDR2 DDR 之间的关系,那是有两倍了,当然要在同频率、同规格的前提下比较 而SD卡本身并不是跟ddr内存同一级别的产品,相互比较已经失去了意义(如今没有人再用sdram了)
其他答案3:
玩游戏的时候可以体验出不同,其他没有什么感觉
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